型号:DMG4511SK4-13 | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Diodes Inc |
封装:TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD | 描述:MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L |
系列 | - |
制造商 | Diodes Inc |
FET型 | N 和 P 沟道 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 35V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 5.3A,5A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 35 毫欧 @ 8mA,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 18.7nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 850pF @ 25V |
功率_最大 | 1.54W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD |
供应商设备封装 | TO-252-4L |
包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
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